AM38中文资料650V/800mA 光耦合继电器,DIP8-6数据手册TOWARD规格书

描述 Description

此光耦合继电器，耐电压达650伏，耐电流800毫安培，为A接点(1 Form A)常开半导体式小型光耦合继电器。使用DIP8-6的封装形式。 内部由LED 驱动MOSFET 进行开关，以光信号为媒介来实现电信号的耦合与传递，输入与输出相对于一般电气耦合的继电器具有更好的隔离度与抗干扰。 结合微型尺寸设计、高绝缘性、和良好线性度等特点，此继电器应用于半导体测试设备、电力调整器、电源供应器、工业控制等产业，其中大量用于电池管理系统(Battery Managment System) 内电压采集模组以及电池平衡电路板，也用于充电桩一次侧二次侧保护线路。 拓緯晶片型的继电器能大量生产降低成本，并且从晶片设计到晶片切割、固晶、打线、到封装、测试皆在拓緯拥有ISO9001 与IATF16949认证的新竹厂1K等级无尘室中完成。品质、交期、客制化需求皆是优势。

特性 Features

• 小尺寸
• 长宽: 9.8mm*6.4mm
• 高: 3.4mm
• 无机械接点造就超长寿命
• 无机械接点造就无声运作
• 线性度表现佳
• 低失真
• 低耗电
• 低杂讯
• 高隔离
• 高绝缘性

应用 Application

• 电池管里系统(BMS)
• 电动车
• 半导体测试介面板
• 半导体测试机(ATE)
• 工业控制
• 量测仪器
• 感应仪器
• 保全相关消费性产品
• 电信设备
• 数据机