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AM3415A	文件：838.02 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The AM3415A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. The AM3415A is available in SOT-23 package. FEATU 文件：838.02 Kbytes 页数：9 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3415AE3R	文件：838.02 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The AM3415A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. The AM3415A is available in SOT-23 package. FEATU 文件：838.02 Kbytes 页数：9 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3415AE3VR	文件：838.02 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The AM3415A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. The AM3415A is available in SOT-23 package. FEATU 文件：838.02 Kbytes 页数：9 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3415A	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT-23/SOT-23S 晶體管	AiT-Semi 创瑞科技	AiT-Semi

技术参数

ESD：
Yes
漏击穿电压(V)：
-20
栅级电压 (V)：
±10
连续漏电流(A)(25°C)：
-4.0
阈值电压(V) 最小值/最大值：
-0.4/-1.0
Vgs=±4.5V(mΩ) 型：
34
Vgs=±2.5V(mΩ) 型：
44
应用：
PC/Handheld
交叉参考：
AO3415

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市鼎欣微电子有限公司	AM3415E3R	AIT-IC	24+	SOT-23	30100	只做正品原装现货	询价
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更多AM3415A供应商更新时间2025-12-1 16:06:00

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