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AM3413A

MOSFET -20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

DESCRIPTION VDS=-20V VGS=±12V ID(A)=-3.2A RDS(ON)=75mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=105mΩ(Typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=140mΩ(Typ.)@VGS=-1.8V The AM34 1 3A is available in SOT 23 S package. FEATURES ⚫ Fast switch ⚫ 1.8V Low gate drive applications ⚫ Available in SOT 23 S p ackage APPLICATIONS

文件:540.96 Kbytes 页数:8 Pages

AITSEMI

创瑞科技

AM3413AE3SR

MOSFET -20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

DESCRIPTION VDS=-20V VGS=±12V ID(A)=-3.2A RDS(ON)=75mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=105mΩ(Typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=140mΩ(Typ.)@VGS=-1.8V The AM34 1 3A is available in SOT 23 S package. FEATURES ⚫ Fast switch ⚫ 1.8V Low gate drive applications ⚫ Available in SOT 23 S p ackage APPLICATIONS

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AITSEMI

创瑞科技

AM3413AE3SVR

MOSFET -20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

DESCRIPTION VDS=-20V VGS=±12V ID(A)=-3.2A RDS(ON)=75mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=105mΩ(Typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=140mΩ(Typ.)@VGS=-1.8V The AM34 1 3A is available in SOT 23 S package. FEATURES ⚫ Fast switch ⚫ 1.8V Low gate drive applications ⚫ Available in SOT 23 S p ackage APPLICATIONS

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AITSEMI

创瑞科技

AM3413A

SOT-23/SOT-23S 晶体管

AiT-Semi

创瑞科技

技术参数

  • 漏击穿电压(V):

    -20

  • 栅级电压 (V):

    ±12

  • 连续漏电流(A)(25°C):

    -3.2

  • 阈值电压(V) 最小值/最大值:

    -0.4/-1.0

  • Vgs=±4.5V(mΩ) 型:

    75

  • Vgs=±2.5V(mΩ) 型:

    105

  • Vgs=±1.8V(mΩ) 型:

    140

  • 应用:

    Switch/Handheld

  • 交叉参考:

    AO3413

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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880000
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SOT-23
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SOT-23L
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更多AM3413A供应商 更新时间2025-10-8 19:10:00