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AM3403	文件：362.61 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The AM3403 is available in SOT-23S package. FEATURES  -30V/-3.2A, RDS(ON)=55mΩ(MAX) @VGS=-10V. RDS(ON)=70mΩ(MAX) @VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mΩ(MAX) @VGS=-2.5V.  Super High dense cell design for extremely low RDS(ON)  Reliable and Rugged  Available in SOT-23S Package APPLI 文件：362.61 Kbytes 页数：6 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3403	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT-23/SOT-23S 晶體管	AiT-Semi 创瑞科技	AiT-Semi
AM3403E3SR	文件：362.61 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The AM3403 is available in SOT-23S package. FEATURES  -30V/-3.2A, RDS(ON)=55mΩ(MAX) @VGS=-10V. RDS(ON)=70mΩ(MAX) @VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mΩ(MAX) @VGS=-2.5V.  Super High dense cell design for extremely low RDS(ON)  Reliable and Rugged  Available in SOT-23S Package APPLI 文件：362.61 Kbytes 页数：6 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3403E3SVR	文件：362.61 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The AM3403 is available in SOT-23S package. FEATURES  -30V/-3.2A, RDS(ON)=55mΩ(MAX) @VGS=-10V. RDS(ON)=70mΩ(MAX) @VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mΩ(MAX) @VGS=-2.5V.  Super High dense cell design for extremely low RDS(ON)  Reliable and Rugged  Available in SOT-23S Package APPLI 文件：362.61 Kbytes 页数：6 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM3403P	文件：98.42 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：98.42 Kbytes 页数：5 Pages	AnalogPower	AnalogPower
AM3403P	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	AnalogPower 美商亚柏	AnalogPower

技术参数

漏击穿电压(V)：
-30
栅级电压 (V)：
±12
连续漏电流(A)(25°C)：
-3.2
阈值电压(V) 最小值/最大值：
-0.7/-1.3
RDS(ON) Vgs=±10V(mΩ) 型：
50
Vgs=±4.5V(mΩ) 型：
60
Vgs=±2.5V(mΩ) 型：
80
应用：
PWM/Handheld
交叉参考：
AO3403

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更多AM3403供应商更新时间2025-12-10 16:17:00

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