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AM30N60-360B

N-Channel 600-V (D-S) MOSFET

Key Features: •Low rDS(on) trench technology •Low thermal impedance •Fast switching speed

文件:403.85 Kbytes 页数:5 Pages

ANALOGPOWER

AM30N60-360B

MOSFET

AnalogPower

美商亚柏

AM312

DIP3

PIR

AM3352BZCZ100

BGA324

TI/德州仪器

上传:深圳市明嘉莱科技有限公司

TI/德州仪器

AM3352BZCZ100

SMD

技术参数

  • VDS_Max_V:

    600

  • VGS_Max_V:

    20

  • RDS(on)mOhm@VGS=10V:

    360

  • RDS(on)mOhm@VGS=4.5V:

    375

  • ID_Max_A:

    30

  • QG_C:

    12

  • PD_W:

    300

  • Package:

    TO-263

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更多AM30N60-360B供应商 更新时间2026-2-9 12:00:00