MOSFET -30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

DESCRIPTION V DS 30 V V GS 12 V ID(A)= 6.6 A R DS(ON) ON)=45mΩ(Typ.)@V GS 10V R DS(ON) ON)=52mΩ(Typ.)@V GS 4.5V R DS(ON) ON)=68mΩ(Typ.)@V GS 2.5V The AM 3095 is available i n SOT 89 3 p ac kage FEATURES ⚫ Fast switch ⚫ Low gate charge ⚫ High power and current handling capabili

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AITSEMI

创瑞科技

MOSFET -30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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DIP3

PIR

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BGA324

TI/德州仪器

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SMD

TI

德州仪器

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