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AM2307	文件：412.37 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheAM2307isavailableinSOT-23Spackage. FEATURES -20V/-4.3A, RDS(ON)=55mΩ(MAX)@VGS=-10V. RDS(ON)=70mΩ(MAX)@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mΩ(MAX)@VGS=-2.5V SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ReliableandRugged AvailableinSOT-23SPackage	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2307	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT-23/SOT-23S 晶體管;	AiT-SemiAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AiT-Semi
AM2307E3SR	文件：412.37 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheAM2307isavailableinSOT-23Spackage. FEATURES -20V/-4.3A, RDS(ON)=55mΩ(MAX)@VGS=-10V. RDS(ON)=70mΩ(MAX)@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mΩ(MAX)@VGS=-2.5V SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ReliableandRugged AvailableinSOT-23SPackage	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2307E3SVR	文件：412.37 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION TheAM2307isavailableinSOT-23Spackage. FEATURES -20V/-4.3A, RDS(ON)=55mΩ(MAX)@VGS=-10V. RDS(ON)=70mΩ(MAX)@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mΩ(MAX)@VGS=-2.5V SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON) ReliableandRugged AvailableinSOT-23SPackage	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM2307-2352D1018	文件：300 bytes Page：1 Pages	2305-2310 MHz, 2350-2355 MHz Ceramic Duplexer;	Anatech(AEI) Anatech Electronics, Inc	Anatech(AEI)
AM2307PE	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET;	AnalogPowerAnalog Power 美商亚柏	AnalogPower
AM2307PE	文件：350.98 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower

技术参数

漏击穿电压(V)：
-20
栅级电压 (V)：
±12
连续漏电流(A)(25°C)：
-4.3
阈值电压(V) 最小值/最大值：
-0.7/-1.3
RDS(ON) Vgs=±10V(mΩ) 型：
50
Vgs=±4.5V(mΩ) 型：
60
Vgs=±2.5V(mΩ) 型：
80
应用：
PC/Handheld
交叉参考：
PMV65XP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	AM2307	ANALOGPOW	23+	SOT-23	30100	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	AM2307	ANALOGPOW	24+	SOT-23	30100	只做正品原装现货	询价
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深圳诚思涵科技有限公司	AM2307PE-T1-PF	ANALOG	19+	SOT23-3	200000		询价
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更多AM2307供应商更新时间2025-7-31 11:10:00

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