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AM12NS10HT3FVU	文件：1.3799 Mbytes Page：19 Pages	100V, N-CHANNEL SGT MOSFET DESCRIPTION The AM12NS10H is available in a TO-220, TO-220F, TO-252, TO-251, SOP8, TO-263-2 and PDFN8(5x6) FEATURES  Fast Switching  Low On-Resistance (RDS(ON) ≤12mΩ)  Low Gate Charge  Low Reverse transfer capacitances  High avalanche ruggedness APPLICATION  Synchronous rectifi 文件：1.3799 Mbytes 页数：19 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM12NS10HT3U	文件：1.3799 Mbytes Page：19 Pages	100V, N-CHANNEL SGT MOSFET DESCRIPTION The AM12NS10H is available in a TO-220, TO-220F, TO-252, TO-251, SOP8, TO-263-2 and PDFN8(5x6) FEATURES  Fast Switching  Low On-Resistance (RDS(ON) ≤12mΩ)  Low Gate Charge  Low Reverse transfer capacitances  High avalanche ruggedness APPLICATION  Synchronous rectifi 文件：1.3799 Mbytes 页数：19 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM12NS10HT3VU	文件：1.3799 Mbytes Page：19 Pages	100V, N-CHANNEL SGT MOSFET DESCRIPTION The AM12NS10H is available in a TO-220, TO-220F, TO-252, TO-251, SOP8, TO-263-2 and PDFN8(5x6) FEATURES  Fast Switching  Low On-Resistance (RDS(ON) ≤12mΩ)  Low Gate Charge  Low Reverse transfer capacitances  High avalanche ruggedness APPLICATION  Synchronous rectifi 文件：1.3799 Mbytes 页数：19 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM12NS10HTD3U	文件：1.3799 Mbytes Page：19 Pages	100V, N-CHANNEL SGT MOSFET DESCRIPTION The AM12NS10H is available in a TO-220, TO-220F, TO-252, TO-251, SOP8, TO-263-2 and PDFN8(5x6) FEATURES  Fast Switching  Low On-Resistance (RDS(ON) ≤12mΩ)  Low Gate Charge  Low Reverse transfer capacitances  High avalanche ruggedness APPLICATION  Synchronous rectifi 文件：1.3799 Mbytes 页数：19 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM12NS10HTD3VU	文件：1.3799 Mbytes Page：19 Pages	100V, N-CHANNEL SGT MOSFET DESCRIPTION The AM12NS10H is available in a TO-220, TO-220F, TO-252, TO-251, SOP8, TO-263-2 and PDFN8(5x6) FEATURES  Fast Switching  Low On-Resistance (RDS(ON) ≤12mΩ)  Low Gate Charge  Low Reverse transfer capacitances  High avalanche ruggedness APPLICATION  Synchronous rectifi 文件：1.3799 Mbytes 页数：19 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
AM12NS10H	文件：300 bytes Page：1 Pages	屏蔽闸 SGT MOS	AiT-Semi 创瑞科技	AiT-Semi

技术参数

Type：
N
VDSS(V)：
100
ID(A)(25°C)：
49.0
VGS(V)：
±20
RDS(ON)typ VGS=10V(mΩ)：
10.5
VGS(TH) (V) Max：
3
Package Type：
TO-220 TO-220F TO-251 TO-252 TO-263 SOP8 PDFN8(5×6)

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更多AM12NS10H供应商更新时间2025-4-18 9:57:00

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