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BD136	文件：188.34 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS POWERTRANSISTORSPNPSILICON	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD136	文件：104.52 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor 1.5AMPEREPOWERTRANSISTORSPNPSILICON45,60,80VOLTS10WATTS ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •BD136,138,140arecomplementarywithBD135,137,139	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BD136	文件：76.38 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD136	文件：88.13 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCBD136/BD138/BD140aresiliconepitaxialplanerPNPtransistor,designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. ThecomplementaryNPNtypesaretheBD135/BD137/BD139.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BD136	文件：57.38 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1.5A OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
BD136	文件：53.9 Kbytes Page：2 Pages	PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1.5A OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
BD136	文件：111.28 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Highcurrent ·ComplementtotypeBD135/137/139 APPLICATIONS ·Driverstagesinhigh-fidelityamplifiersandtelevisioncircuits	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD136	文件：42.46 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor PlasticMediumPowerSiliconPNPTransistor Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable* •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD136	文件：69.62 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. FEATURES •HighCurrent.(Max.:-1.5A) •LowVoltage(Max.:-45V) •DCCurrentGain:hFE=40Min.@IC=-0.15A •ComplementarytoBD135.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BD136	文件：133.44 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •Highcurrent •ComplementtotypeBD135/137/139 APPLICATIONS •Driverstagesinhigh-fidelityamplifiersandtelevisioncircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
AM-AMC-136
制造商：
MA-COM
制造商全称：
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
功能描述：
High Performance Amplifier, 20 dB Gain, 10 - 200 MHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	AMAN1003015LG02	AMOTECH	23+		5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
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