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BB149	文件：43.47 Kbytes Page：7 Pages	UHFvariablecapacitancediode	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB149	文件：51.95 Kbytes Page：2 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB149isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD323verysmallplasticSMDpackage. Theexcellentmatchingperformanceisachievedbyglidingmatchingandadirectmatchingassemblyprocedure.Theunmatchedtype,BB159hasthesa	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BB149	文件：54.67 Kbytes Page：8 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB149isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOD323verysmallplasticSMDpackage. Theexcellentmatchingperformanceisachievedbyglidingmatchingandadirectmatchingassemblyprocedure.Theunmatchedtype,BB159hasthesa	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB149A	文件：53.76 Kbytes Page：8 Pages	UHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB149Aisaplanartechnologyvariablecapacitancediode,inaSOD323verysmallplasticSMDpackage.Theexcellentmatchingperformanceisachievedbyglidingmatchingandadirectmatchingassemblyprocedure. FEATURES •Excellentlinearity •Excellentmatchingto2DMA •Ver	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB149A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC149	文件：75.84 Kbytes Page：1 Pages	LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC149	文件：484.99 Kbytes Page：6 Pages	TRANZYSTORYNPN LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BCR149	文件：448.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR149F	文件：448.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR149T	文件：448.62 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFQ149	文件：37.97 Kbytes Page：6 Pages	PNP5GHzwidebandtransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT89envelope.ItisintendedforuseinUHFapplicationssuchasbroadbandaerialamplifiers(30to860MHz)andinmicrowaveamplifierssuchasradarsystems,spectrumanalyzers,etc.,usingSMDtechnology.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFQ149	文件：227.64 Kbytes Page：7 Pages	PNP5GHzwidebandtransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT89envelope.ItisintendedforuseinUHFapplicationssuchasbroadbandaerialamplifiers(30to860MHz)andinmicrowaveamplifierssuchasradarsystems,spectrumanalysers,etc.,usingSMDtechnology.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFQ149	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLC149	文件：51.46 Kbytes Page：1 Pages	BLC149	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling
BSP149	文件：328.62 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelDepletionmodeHighdynamicresistance) ●VDS200V ●ID0.48A ●RDS(on)3.5Ω ●Nchannel ●Depletionmode ●Highdynamicresistance ●AvailablegroupedinVGS(th)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BSP149	文件：226.93 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSP149	文件：206.19 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor Features •N-channel •Depletionmode •dv/dtrated •AvailablewithVGS(th)indicatoronreel •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSP149	文件：3.04397 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GENERALFEATURES Vos=200V Ib=10A@Ves=10V Rosion)£1.35Q@Ves=10V SOT-223package.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
BSS149	文件：279.2 Kbytes Page：6 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelDepletionmodeHighdynamicresistance) SIPMOS®Small-SignalTransistor ●VDS200V ●ID0.35A ●RDS(on)3.5Ω ●Nchannel ●Depletionmode ●Highdynamicresistance ●AvailablegroupedinVGS(th)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BT149	文件：42.7 Kbytes Page：6 Pages	Thyristorslogiclevel GENERALDESCRIPTION Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetrigger	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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详细参数

型号：
AM-149-PIN
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
功能描述：
AMPLIFIER,RESISITIVE_FEEDBACK, - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	AM14DL1612DB851	AMD	05+	原厂原装	456	全新原装绝对有货	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	AM1-4G	TriQuint	2017+	SOT89	23569	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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