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BD623X-E	文件：662.74 Kbytes Page：25 Pages	DCBrushMotorDrivers(36Vmax.)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BF623	文件：40.86 Kbytes Page：8 Pages	PNPhigh-voltagetransistors DESCRIPTION PNPhigh-voltagetransistorinaSOT89plasticpackage. NPNcomplements:BF620andBF622. FEATURES •Lowcurrent(max.50mA) •Highvoltage(max.300V). APPLICATIONS •Videooutputstages.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF623	文件：132.11 Kbytes Page：10 Pages	PNPhigh-voltagetransistors DESCRIPTION PNPhigh-voltagetransistorinaSOT89plasticpackage. NPNcomplements:BF620andBF622. FEATURES •Lowcurrent(max.50mA) •Highvoltage(max.300V). APPLICATIONS •Videooutputstages.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF623	文件：129.44 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconHigh-VoltageTransistor(SuitableforvideooutputstagesinTVsetsHighbreakdownvoltageLowcollector-emittersaturationvoltage) PNPSiliconHigh-VoltageTransistor ●SuitableforvideooutputstagesinTVsets ●Highbreakdownvoltage ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lowcapacitance ●Complementarytype:BF622(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF623	文件：321.15 Kbytes Page：11 Pages	PNPhigh-voltagetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.50mA) •Highvoltage(max.300V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
C623	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C623	文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
CHDTC623TKPT	文件：91.26 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT600mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SOT-23) Inadditiontothefeaturesofregulardigitaltransistor. VCE(sat)=40mVatIC/IB=50mA/2.5mA,makesthesetransistors idealformutingcircuits. *Thesetransistorscanbeusedathighcurrentlevels,	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHDTC623TUPT	文件：86.93 Kbytes Page：3 Pages	NPNDigitalSiliconTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT600mAmpere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-70/SOT-323) Inadditiontothefeaturesofregulardigitaltransistor. VCE(sat)=40mVatIC/IB=50mA/2.5mA,makesthesetransistors idealformutingcircuits. *Thesetransistorscanbeusedathighcurrent	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CL623	文件：196.07 Kbytes Page：2 Pages	HeavycastaluminumtopcoverwithintegralLEDheatdissipatingpad	LUMINIS Lumins Inc.	LUMINIS

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