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ASM712	文件：929.66 Kbytes Page：6 Pages	AsymmetricalTVSDiode	APMICROApplied Power Microelectronics Co.,Ltd. 应能江苏应能微电子股份有限公司	APMICRO
ASM712H	文件：637.29 Kbytes Page：6 Pages	AsymmetricalTVSDiode	APMICROApplied Power Microelectronics Co.,Ltd. 应能江苏应能微电子股份有限公司	APMICRO
ASM712Y	文件：1.51851 Mbytes Page：5 Pages	AsymmetricalTVSDiode Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:7Vor12V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-5(Lightning)17Aor12A(8/20μs) RoHSCompliant	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
AT712	文件：3.62022 Mbytes Page：33 Pages	AccessoriesHardware	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BD712	文件：97.74 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS POWERLINEARANDSWITCHINGAPPLICATIONS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD712	文件：261.76 Kbytes Page：5 Pages	NPNPOWERTRANSISTORS POWERLINEARANDSWITCHINGAPPLICATIONS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD712	文件：92.86 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •ComplementtotypeBD707/709/711 APPLICATIONS •Intentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD712	文件：133.82 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •ComplementtotypeBD707/709/711 APPLICATIONS •Intentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD712	文件：102.74 Kbytes Page：2 Pages	siliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinJedecTO-220plasticpackage DESCRIPTION TheBD705,BD707,BD709andBD711aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinJedecTO-220plasticpackageintendedforuseInpowerlinearandswitchingapplications.ThecomplementaryPNPtypesaretheBD706,BD708,BD710andBD712respectively.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BGD712	文件：55.3 Kbytes Page：8 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION HybridamplifiermoduleinaSOT115Jpackageoperatingwithavoltagesupplyof24V(DC). FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Excellentreturnlossproperties •Siliconnitridepassivation •Ruggedconstruction •Goldmetallizationensuresexcellentreliabil	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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