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AOD444	文件：125.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AOD444	文件：309.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=60mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD444	文件：2.5065 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=60V,ID=20A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

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