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ALD212902	文件：517.39 Kbytes Page：12 Pages	PRECISION N-CHANNEL EPAD짰 MOSFET ARRAY DUAL HIGH DRIVE NANOPOWER??MATCHED PAIR FEATURES & BENEFITS • Precision VGS(th) = +0.20V ±0.02V • VOS (VGS(th) match) 10mV max. • Sub-threshold voltage (nano-power) operation • 100,000,000:1 operating current ranges • High transconduct 文件：517.39 Kbytes 页数：12 Pages	ALD	ALD
ALD212902	文件：105.43 Kbytes Page：12 Pages	PRECISION N-CHANNEL EPAD MOSFET ARRAY DUAL HIGH DRIVE NANOPOWER MATCHED PAIR 文件：105.43 Kbytes 页数：12 Pages	ALD	ALD
ALD212902_V01	文件：517.39 Kbytes Page：12 Pages	PRECISION N-CHANNEL EPAD짰 MOSFET ARRAY DUAL HIGH DRIVE NANOPOWER??MATCHED PAIR FEATURES & BENEFITS • Precision VGS(th) = +0.20V ±0.02V • VOS (VGS(th) match) 10mV max. • Sub-threshold voltage (nano-power) operation • 100,000,000:1 operating current ranges • High transconduct 文件：517.39 Kbytes 页数：12 Pages	ALD	ALD
ALD212902PAL	文件：517.39 Kbytes Page：12 Pages	PRECISION N-CHANNEL EPAD짰 MOSFET ARRAY DUAL HIGH DRIVE NANOPOWER??MATCHED PAIR FEATURES & BENEFITS • Precision VGS(th) = +0.20V ±0.02V • VOS (VGS(th) match) 10mV max. • Sub-threshold voltage (nano-power) operation • 100,000,000:1 operating current ranges • High transconduct 文件：517.39 Kbytes 页数：12 Pages	ALD	ALD
ALD212902SAL	文件：517.39 Kbytes Page：12 Pages	PRECISION N-CHANNEL EPAD짰 MOSFET ARRAY DUAL HIGH DRIVE NANOPOWER??MATCHED PAIR FEATURES & BENEFITS • Precision VGS(th) = +0.20V ±0.02V • VOS (VGS(th) match) 10mV max. • Sub-threshold voltage (nano-power) operation • 100,000,000:1 operating current ranges • High transconduct 文件：517.39 Kbytes 页数：12 Pages	ALD	ALD
ALD212902PAL	文件：105.43 Kbytes Page：12 Pages	PRECISION N-CHANNEL EPAD MOSFET ARRAY DUAL HIGH DRIVE NANOPOWER MATCHED PAIR 文件：105.43 Kbytes 页数：12 Pages	ALD	ALD
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ALD212902PAL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfet Arrays	ALD	ALD
ALD212902SAL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfet Arrays	ALD	ALD

技术参数

Mode：
Precision Enhancement Mode
Dual Quad：
Dual
Package Type：
SOIC8
Threshold Voltage (typ) (V)：
0.2
Threshold Voltage Tolerance (+/-) (V)：
0.02
Offset Voltage (Max) (mV)：
10
Drain On Current (Typ) (mA)：
79
Gate Input Leakage Current (Max) (pA)：
200
Drain Source On Resistance (Max) (Ohm)：
14
Drain Source Leakage Current (Max) (nA)：
0.4
Drain Source On Resistance Mismatch (typ) (%)：
0.6
Drain Source Break-down Voltage (Min) (V)：
10
Other Features：
Nanopower
Temp Range (degC)：
0 to +70

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更多ALD212902供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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