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ALD210804SCL	文件：519.559 Kbytes Page：12 Pages	PRECISION N-CHANNEL EPAD짰 MOSFET ARRAY QUAD HIGH DRIVE NANOPOWER??MATCHED PAIR GENERAL DESCRIPTION The ALD210804 precision enhancement mode N-Channel EPAD® MOSFET array is precision matched at the factory using ALD’s proven EPAD® CMOS technology. These quad monolithic devices are enhanced additions to the ALD110804 EPAD® MOSFET Family, with increased forward transconduct 文件：519.559 Kbytes 页数：12 Pages	ALD	ALD
ALD210804SCL	文件：107.6 Kbytes Page：12 Pages	PRECISION N-CHANNEL EPAD MOSFET ARRAY QUAD HIGH DRIVE NANOPOWER MATCHED PAIR 文件：107.6 Kbytes 页数：12 Pages	ALD	ALD
ALD210804SCL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfet Arrays	ALD	ALD
ALD210804	文件：107.6 Kbytes Page：12 Pages	PRECISION N-CHANNEL EPAD MOSFET ARRAY QUAD HIGH DRIVE NANOPOWER MATCHED PAIR 文件：107.6 Kbytes 页数：12 Pages	ALD	ALD
ALD210804	文件：519.559 Kbytes Page：12 Pages	PRECISION N-CHANNEL EPAD짰 MOSFET ARRAY QUAD HIGH DRIVE NANOPOWER??MATCHED PAIR GENERAL DESCRIPTION The ALD210804 precision enhancement mode N-Channel EPAD® MOSFET array is precision matched at the factory using ALD’s proven EPAD® CMOS technology. These quad monolithic devices are enhanced additions to the ALD110804 EPAD® MOSFET Family, with increased forward transconduct 文件：519.559 Kbytes 页数：12 Pages	ALD	ALD
ALD210804PCL	文件：519.559 Kbytes Page：12 Pages	PRECISION N-CHANNEL EPAD짰 MOSFET ARRAY QUAD HIGH DRIVE NANOPOWER??MATCHED PAIR GENERAL DESCRIPTION The ALD210804 precision enhancement mode N-Channel EPAD® MOSFET array is precision matched at the factory using ALD’s proven EPAD® CMOS technology. These quad monolithic devices are enhanced additions to the ALD110804 EPAD® MOSFET Family, with increased forward transconduct 文件：519.559 Kbytes 页数：12 Pages	ALD	ALD

技术参数

Mode：
Precision Enhancement Mode
Dual Quad：
Quad
Package Type：
SOIC16
Threshold Voltage (typ) (V)：
0.4
Threshold Voltage Tolerance (+/-) (V)：
0.02
Offset Voltage (Max) (mV)：
10
Drain On Current (Typ) (mA)：
70
Gate Input Leakage Current (Max) (pA)：
200
Drain Source On Resistance (Max) (Ohm)：
25
Drain Source Leakage Current (Max) (nA)：
0.4
Drain Source On Resistance Mismatch (typ) (%)：
0.6
Drain Source Break-down Voltage (Min) (V)：
10
Other Features：
Nanopower
Temp Range (degC)：
0 to +70

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