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ALD110814PC	文件：42.2 Kbytes Page：2 Pages	QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD MATCHED PAIR MOSFET ARRAY GENERAL DESCRIPTION ALD110814/ALD110914 are high precision monolithic quad/dual enhancement mode N-Channel MOSFETs matched at the factory using ALD’s proven EPAD® CMOS technology. These devices are intended for low voltage, small signal applications. FEATURES • Enhancement-mode (normally off) 文件：42.2 Kbytes 页数：2 Pages	ALD	ALD
ALD110814PCL	文件：107.85 Kbytes Page：11 Pages	QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD PRECISION MATCHED PAIR MOSFET ARRAY 文件：107.85 Kbytes 页数：11 Pages	ALD	ALD
ALD110814PCL	文件：111.3 Kbytes Page：12 Pages	QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD 文件：111.3 Kbytes 页数：12 Pages	ALD	ALD
ALD110814PC	文件：300 bytes Page：1 Pages	QUAD/DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE EPAD® MATCHED PAIR MOSFET ARRAY GENERAL DESCRIPTION\nALD110814/ALD110914 are monolithic quad/dual N-Channel MOSFETs matched at the factory using ALD’s proven EPAD® CMOS technology. These devices are intended for low voltage, small signal applications. The ALD110814/ALD110914 MOSFETs are designed and built with exceptional device e • Enhancement-mode (normally off)\n• Standard Gate Threshold Voltages: +1.4V\n• Matched MOSFET to MOSFET characteristics\n• Tight lot to lot parametric control\n• Parallel connection of MOSFETs to increase drain currents\n• Low input capacitance\n• VGS(th) match to 10mV\n• High input impedance — 101;	ALD	ALD
ALD110814PCL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfet Arrays	ALD	ALD

技术参数

Mode：
Precision Enhancement Mode
Dual Quad：
Quad
Package Type：
PDIP16
Threshold Voltage (typ) (V)：
1.4
Threshold Voltage Tolerance (+/-) (V)：
0.04
Offset Voltage (Max) (mV)：
10
Drain On Current (Typ) (mA)：
3
Gate Input Leakage Current (Max) (pA)：
30
Drain Source On Resistance (Max) (Ohm)：
500
Drain Source Leakage Current (Max) (nA)：
0.4
Drain Source On Resistance Mismatch (typ) (%)：
0.5
Drain Source Break-down Voltage (Min) (V)：
10
Other Features：
-----
Temp Range (degC)：
0 to +70

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