沟槽MOSFET

为了降低硬开关电路开关损耗，提高开关速度，瑶芯微电子推出了SGT（split gate trench)系列中低压MOSFET。因其和常规沟槽工艺结构显著区别，隔离栅极（SGT）可以做到小的Qgd电荷，使米勒平台尽快渡过。并且工艺上对体二极管恢复时间做优化，很大幅度抑制了开关振荡，进一步减小开关损耗，使开关曲线快速又柔和。结合低导通电阻（Ron），使整个系统发热降低，提高系统效率。瑶芯微的SGT mos的电压范围覆盖30V-200V范围各种电流规格以及各种封装方式，方便用户选用。适合电机驱动，快充，开关电源，LED等系统应用。

ALKAIDSEMI

瑶芯微电子

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

Standard Size Pushbuttons

General Specifications Electrical Capacity (Resistive Load) Power Level (silver): 3A @ 125V AC or 3A @ 250V AC or 3A @ 30V DC Logic Level (gold): 0.4VA maximum @ 28V AC/DC maximum (Applicable Range 0.1mA ~ 0.1A @ 20mV ~ 28V) Note: Find additional explanation of operating range in Supplement s

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NKK

恩楷楷

Sleep modes PRR registers Oscillator calibration USART

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Atmel

爱特梅尔