沟槽MOSFET

为了降低硬开关电路开关损耗，提高开关速度，瑶芯微电子推出了SGT（split gate trench)系列中低压MOSFET。因其和常规沟槽工艺结构显著区别，隔离栅极（SGT）可以做到小的Qgd电荷，使米勒平台尽快渡过。并且工艺上对体二极管恢复时间做优化，很大幅度抑制了开关振荡，进一步减小开关损耗，使开关曲线快速又柔和。结合低导通电阻（Ron），使整个系统发热降低，提高系统效率。瑶芯微的SGT mos的电压范围覆盖30V-200V范围各种电流规格以及各种封装方式，方便用户选用。适合电机驱动，快充，开关电源，LED等系统应用。

ALKAIDSEMI

瑶芯微电子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features • 20V/12A, RDS(ON)=55mΩ(typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=75mΩ(typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=140mΩ(typ.) @ VGS=2.5V • Super High Dense Cell Design • High Power and Current Handling Capability • TO-252 and SOT-223 Packages Applications • Switching R

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ANPEC

茂达电子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features · 20V/10A , RDS(ON)=55mW (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=75mW (typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=140mW (typ.) @ VGS=2.5V · Super High Dense Cell Design · Reliable and Rugged · Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications · Power Management in

文件：187.09 Kbytes 页数：10 Pages

ANPEC

茂达电子

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特