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AIMBG120R080M1规格书详情
描述 Description
凭借英飞凌性能优化的芯片技术 (Gen1p)，SiC Mosfet 具有一流的开关性能、抗寄生导通的稳健性以及改进的 RDSon 和 Rth(jc)。高功率密度、卓越的效率、双向充电功能以及显著降低的系统成本使其成为车载充电器和 DCDC 应用的理想选择。
特性 Features
• 革命性的半导体材料——碳化硅
• 极低的开关损耗
• 无阈值开启状态特性
• 0V 关断栅极电压
• 基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
• 完全可控的 dv/dt
• 换向稳健的体二极管，可用于同步整流
• 与温度无关的关断开关损耗
• 用于优化开关性能的感测引脚
• 适合高压爬电要求
• XT 互连技术，实现一流的热性能
应用 Application
• 新能源汽车动力系统
技术参数
- 制造商编号
：AIMBG120R080M1
- 生产厂家
：Infineon
- Coss
：35 pF
- ID (@25°C) max
：30 A
- Ptot(@ TA=25°C) max
：168 W
- QG
：24 nC
- RDS (on)(@ Tj = 25°C)
：80 mΩ
- RthJCmax
：0.89 K/W
- VDSmax
：1200 V
- Package
：TO-263-7
- Operating Temperature
：-55 °C to 175 °C
- Technology
：CoolSiC™ G1
- Launch year
：2023
- Polarity
：N
- Currently planned availability until at least
：2033
- Qualification
：Automotive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
65000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Infineon |
23+ |
PG-TO263-7 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
Abracon |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
ABRACON |
24+ |
9563 |
原厂现货渠道 |
询价 | |||
INFINEON |
2023 |
N/N |
20000 |
全新、原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
Infineon |
310 |
只做正品 |
询价 | ||||
Advantech |
22+ |
NA |
6878 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
PG-TO263-7 |
5000 |
原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
TO263-7 |
3652 |
原厂正品现货供应SIC全系列 |
询价 |
