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AIKQ200N75CP2规格书详情
特性 Features
优势:
简介
AIKQ200N75CP2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的AIKQ200N75CP2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
AIKQ200N75CP2XKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 开关能量：
15.3mJ（开）， 7mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
89ns/266ns
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT TRENCH
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
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