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AIGW50N65H5分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
![AIGW50N65H5](https://img.114ic.com/dgk/Renders/Infineon%20Renders/TO-247-3-AC-EP.jpg)
厂商型号 |
AIGW50N65H5 |
参数属性 | AIGW50N65H5 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 650V TO247-3 |
功能描述 | High speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology |
文件大小 |
1.78884 Mbytes |
页面数量 |
14 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-16 12:00:00 |
AIGW50N65H5规格书详情
AIGW50N65H5属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。英飞凌科技公司制造生产的AIGW50N65H5晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
AIGW50N65H5XKSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,50A
- 开关能量:
490µJ(开),140µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
21ns/156ns
- 测试条件:
400V,25A,12 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
PG-TO247-3-41
- 描述:
IGBT 650V TO247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-3-41 |
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23+ |
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Infineon |
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PG-TO247-3 |
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Infineon/英飞凌 |
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Infineon/英飞凌 |
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Infineon(英飞凌) |
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PG-TO247-3-41 |
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Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO247-3-41 |
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Infineon Technologies |
21+ |
PG-TO220-2-2 |
21000 |
专业分立半导体,原装渠道正品现货 |
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Infineon/英飞凌 |
2021+ |
PG-TO247-3-41 |
9600 |
原装现货,欢迎询价 |
询价 |