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AH5012C	文件：269.27 Kbytes Page：11 Pages	MONOLITHIC ANALOG CURRENT SWITCHES	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
AH5012CM	文件：269.27 Kbytes Page：11 Pages	MONOLITHIC ANALOG CURRENT SWITCHES	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
AH5012CN	文件：269.27 Kbytes Page：11 Pages	MONOLITHIC ANALOG CURRENT SWITCHES	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
AM5012	文件：147.12 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGEPRESSFITDIODEFORAUTOMOTIVERECTIFIER VOLTAGERANGE100TO1200VOLTSCURRENT50AMPS Features Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highforwardsurgecurrentcapability MechanicalData Case:Coppercase Technology:cellwithvcauumsoldered Polarity:Asmarkedofcasebottom Le	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
AP5012	文件：1.7929 Mbytes Page：36 Pages	BobbintronElectricalCorporation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
APKG5012GD	文件：820.18 Kbytes Page：14 Pages	ActiveGNSSDual-BandStackedPatchAntenna Features •MultibandMulti-ConstellationActiveGNSSAntenna ▪GPS:L1/L5 ▪GLONASS:G1 ▪Galileo:E1/E5a ▪Beidou:B1/B2a/B2b ▪IRNSS:L5 ▪SBAS:L1/L5 •HighLNAgainof40±2dBwithlownoisefigure •Verylownoisefigure(	ABRACON Abracon Corporation	ABRACON
APT5012	文件：60.44 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® SINGLEDIEISOTOP®PACKAGE N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT5012	文件：61.53 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. POWERMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Fast	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT5012JN	文件：60.44 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® SINGLEDIEISOTOP®PACKAGE N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT5012LNR	文件：328.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=42A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
AH5012C
制造商：
NSC
制造商全称：
National Semiconductor
功能描述：
MONOLITHIC ANALOG CURRENT SWITCHES

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更多AH5012C供应商更新时间2025-7-23 17:24:00

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