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AIGB50N65F5	文件：1.47169 Mbytes Page：14 Pages	丝印：AG50EF5；Package：PG-TO263-3；High speed FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology Features and Benefits: High speed F5 technology offering: • Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies • 650V breakdown voltage • Low gate charge QG • Maximum junction temperature 175°C • Dynamically stress tested • Qualified according to AEC-Q101 • Green package ( 文件：1.47169 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
AIGW50N65F5	文件：1.79407 Mbytes Page：14 Pages	丝印：AG50EF5；Package：PG-TO247-3；High speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology 文件：1.79407 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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