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AFT27S012NT1分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
AFT27S012NT1 |
| 参数属性 | AFT27S012NT1 封装/外壳为PLD-1.5W；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| 功能描述 | RF Power LDMOS Transistor |
| 文件大小 |
403.52 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-23 13:30:00 |
AFT27S012NT1规格书详情
AFT27S012NT1属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的AFT27S012NT1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
AFT27S012NT1
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
728MHz ~ 2.7GHz
- 增益：
20.9dB
- 额定电流（安培）：
10µA
- 功率 - 输出：
13W
- 封装/外壳：
PLD-1.5W
- 供应商器件封装：
PLD-1.5W
- 描述：
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
23+ |
PLD-1.5 |
38 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
NXP Semiconductors |
22+ |
N-Channel |
2864 |
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询价 | ||
NXP/恩智浦 |
2021+ |
PLD-1.5W |
6900 |
询价 | |||
NXP/恩智浦 |
23+ |
PLD-1.5W |
7188 |
秉承只做原装 终端我们可以提供技术支持 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
2023+ |
PLD-1.5W |
6000 |
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询价 | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
ORIGINAL |
48000 |
原装正品 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
21+ |
PLD-1.5W |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
FREESCALE |
2021+ |
NA |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
PLD-1.5W |
6000 |
只做原装,实单可谈 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
2022+ |
PLD-1.5W |
6900 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 |
