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AFT26H050W26SR3分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
AFT26H050W26SR3 |
| 参数属性 | AFT26H050W26SR3 封装/外壳为NI-780S-4L4L-8；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4 |
| 功能描述 | RF Power LDMOS Transistors |
| 文件大小 |
760.33 Kbytes |
| 页面数量 |
21 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-26 11:10:00 |
AFT26H050W26SR3规格书详情
AFT26H050W26SR3属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的AFT26H050W26SR3晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
AFT26H050W26SR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
2.69GHz
- 增益：
14.2dB
- 功率 - 输出：
9W
- 封装/外壳：
NI-780S-4L4L-8
- 供应商器件封装：
NI-780S-4L4L-8
- 描述：
FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
23+ |
SMD |
1000000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
FREESCALE |
17+ |
NI-880 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
FREESCALE |
22+ |
NI-880 |
20000 |
深圳原装现货正品有单价格可谈 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
FREESCALE |
24+ |
SMD |
82 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FREESCALE |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
FREESCALE |
22+ |
NI-880 |
14481 |
原装正品现货 |
询价 | ||
FREESCALE |
21+ |
NI-880 |
35400 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
Freescale |
15+ |
SOT1121B |
7433 |
全新进口原装 |
询价 |
