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AFT27S010N分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
AFT27S010N |
参数属性 | AFT27S010N 封装/外壳为PLD-1.5W;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W |
功能描述 | RF Power LDMOS Transistor |
文件大小 |
1.12169 Mbytes |
页面数量 |
28 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-24 22:58:00 |
AFT27S010N规格书详情
AFT27S010N属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的AFT27S010N晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号:
AFT27S010NT1
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
2.17GHz
- 增益:
21.7dB
- 功率 - 输出:
1.26W
- 封装/外壳:
PLD-1.5W
- 供应商器件封装:
PLD-1.5W
- 描述:
FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCA |
2016+ |
PLD-1.5 |
3900 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
PLD-1.5W |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FREESCALE |
22+ |
PLD-1.5 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
NXP Semiconductors |
22+ |
N-Channel |
2864 |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
询价 | ||
FREESCALE |
2023+ |
PLD-1.5W |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
SMD |
5070 |
全新原装,价格优势,原厂原包 |
询价 | ||
FREESCALE |
24+ |
404 |
现货供应 |
询价 | |||
FREESCALE |
23+ |
PLD-1.5 |
589610 |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
询价 | ||
FREESCALE |
23+ |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | |||
AFT27S010NT1 |
91 |
91 |
询价 |