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AFT27S010N分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

AFT27S010N
厂商型号

AFT27S010N

参数属性

AFT27S010N 封装/外壳为PLD-1.5W;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W

功能描述

RF Power LDMOS Transistor
FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W

文件大小

1.12169 Mbytes

页面数量

28

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-24 22:58:00

AFT27S010N规格书详情

AFT27S010N属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的AFT27S010N晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    AFT27S010NT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    2.17GHz

  • 增益:

    21.7dB

  • 功率 - 输出:

    1.26W

  • 封装/外壳:

    PLD-1.5W

  • 供应商器件封装:

    PLD-1.5W

  • 描述:

    FET RF NCH 65V 2700MHZ PLD1.5W

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