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AFT27S006NT1分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
AFT27S006NT1 |
| 参数属性 | AFT27S006NT1 封装/外壳为PLD-1.5W；包装为托盘；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：RF MOSFET LDMOS 28V PLD1.5W |
| 功能描述 | RF Power LDMOS Transistor |
| 文件大小 |
977.39 Kbytes |
| 页面数量 |
25 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-25 18:25:00 |
AFT27S006NT1规格书详情
AFT27S006NT1属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的AFT27S006NT1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
AFT27S006NT1
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
2.17GHz
- 增益：
22dB
- 功率 - 输出：
28.8dBm
- 封装/外壳：
PLD-1.5W
- 供应商器件封装：
PLD-1.5W
- 描述：
RF MOSFET LDMOS 28V PLD1.5W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
23+ |
PLD1.5W |
6000 |
诚信服务，绝对原装原盘 |
询价 | ||
FREESCALE |
22+ |
PLD-1.5 |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
询价 | ||
NXP |
2023+ |
PLD-1.5W |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
询价 | ||
NXP USA Inc. |
24+ |
PLD-1.5W |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
PLD-1.5W |
7087 |
NXP原厂渠道,2小时快速发货,大量现货库存 |
询价 | ||
FREESCALE |
1437+ |
1000 |
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NXP/恩智浦 |
24+ |
PLD-1.5 |
880000 |
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询价 | ||
NXP |
21+ |
PLD1.5W2 |
13880 |
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NXP(恩智浦) |
23+ |
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7548 |
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FREESCALE |
24+ |
PLD |
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