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AFT21H350W04GSR6分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
AFT21H350W04GSR6 |
| 参数属性 | AFT21H350W04GSR6 封装/外壳为NI-1230S-4 GW；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：FET RF 2CH 65V 2.11GHZ |
| 功能描述 | RF Power LDMOS Transistors |
| 文件大小 |
544.76 Kbytes |
| 页面数量 |
18 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-15 11:55:00 |
AFT21H350W04GSR6规格书详情
AFT21H350W04GSR6属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的AFT21H350W04GSR6晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
AFT21H350W04GSR6
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS
- 频率：
2.11GHz
- 增益：
16.4dB
- 功率 - 输出：
63W
- 封装/外壳：
NI-1230S-4 GW
- 供应商器件封装：
NI-1230S-4 GULL
- 描述：
FET RF 2CH 65V 2.11GHZ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
2016+ |
NI780S |
3526 |
假一罚十进口原装现货原盘原标! |
询价 | ||
FREESCALE |
2021+ |
NA |
1000387 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Freescal |
23+ |
高频管 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
NXPUSAInc. |
2019+ |
NI-780S |
65500 |
原装正品货到付款,价格优势! |
询价 | ||
NXP |
22+ |
NI1230S4 GullWing |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
NXP |
21+ |
NI1230S4 GullWing |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
Freescal |
23+ |
高频管 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
21+ |
TO-59 |
5960 |
全新原装亏本出13157115792 |
询价 | |||
FREESCALE |
23+ |
196 |
现货供应 |
询价 |
