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AFT21H350W03S分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

AFT21H350W03S
厂商型号

AFT21H350W03S

参数属性

AFT21H350W03S 封装/外壳为NI-1230S;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S

功能描述

RF Power LDMOS Transistors
FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S

文件大小

544.76 Kbytes

页面数量

18

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 18:06:00

AFT21H350W03S规格书详情

AFT21H350W03S属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的AFT21H350W03S晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    AFT21H350W03SR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    2.11GHz

  • 增益:

    16.4dB

  • 功率 - 输出:

    63W

  • 封装/外壳:

    NI-1230S

  • 供应商器件封装:

    NI-1230S

  • 描述:

    FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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