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AFT21H350W03S分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
![AFT21H350W03S](https://img.114ic.com/dgk/Photos/Freescale%20Photos/NI-1230S.jpg)
厂商型号 |
AFT21H350W03S |
参数属性 | AFT21H350W03S 封装/外壳为NI-1230S;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S |
功能描述 | RF Power LDMOS Transistors |
文件大小 |
544.76 Kbytes |
页面数量 |
18 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-15 18:06:00 |
AFT21H350W03S规格书详情
AFT21H350W03S属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的AFT21H350W03S晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
AFT21H350W03SR6
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
2.11GHz
- 增益:
16.4dB
- 功率 - 输出:
63W
- 封装/外壳:
NI-1230S
- 供应商器件封装:
NI-1230S
- 描述:
FET RF 2CH 65V 2.11GHZ NI1230S
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Freescal |
15+ |
射频管 |
81 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NXP-恩智浦 |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
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询价 | ||
FREESCALE |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
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FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
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询价 | ||
NXP |
22+ |
NI1230S |
9000 |
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Freescal |
22+ |
射频管 |
25000 |
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NXP USA Inc. |
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NXP USA Inc. |
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