Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode and VCESAT, VTH Binning 650 V, 160 A

Features  AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  Very Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.6 V (Typ.) @ IC = 160 A  Maximum Junction Temperature: TJ = 175C  Positive Temperature Co−Efficient  Tight Parameter Distribution  High Input Impedance  100% of the Parts are Dynamically Tes

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