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AFGH4L40T120RWD-STD中文资料IGBT - Automotive Grade 1200 V 40 A, TO-247 4L数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

AFGH4L40T120RWD-STD

功能描述

IGBT - Automotive Grade 1200 V 40 A, TO-247 4L

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-27 23:00:00

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AFGH4L40T120RWD-STD规格书详情

描述 Description

AEC Q101 qualified Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop VII Trench construction. Provides good performance in demanding switching applications, offering both low on state voltage and low switching loss offers good performance for both hard and soft switching topology in automotive application.

特性 Features

• AEC Q101 qualified
• Low Vcesat
• Low Eoff & Eon

应用 Application

• HEV-EV PTC heater
• HEV-EV on board charger

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