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MAX5804ATB	文件：3.29091 Mbytes Page：31 Pages	Ultra-Small,Single-Channel,8-/10-/12-BitBufferedOutputVoltageDACswithInternalReferenceandI2CInterface GeneralDescription TheMAX5803/MAX5804/MAX5805single-channel,low-power,8-/10-/12-bit,voltage-outputthisisanadditiontocontentdigital-to-analogconverters(DACs)includeoutputbuffersandaninternalreferencethatisselectabletobe2.048V,2.500V,or4.096V.TheMAX5803/MAX5804/MAX5	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX5804AUB	文件：3.29091 Mbytes Page：31 Pages	Ultra-Small,Single-Channel,8-/10-/12-BitBufferedOutputVoltageDACswithInternalReferenceandI2CInterface GeneralDescription TheMAX5803/MAX5804/MAX5805single-channel,low-power,8-/10-/12-bit,voltage-outputthisisanadditiontocontentdigital-to-analogconverters(DACs)includeoutputbuffersandaninternalreferencethatisselectabletobe2.048V,2.500V,or4.096V.TheMAX5803/MAX5804/MAX5	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MCH5804	文件：37.7 Kbytes Page：5 Pages	DC/DCConverterApplications MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypewithanN-ChannelSilliconMOSFET(MCH3408)andaSchottkyBarrierDiode(SBS007M)containedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. [MOSFET] •LowON-resistance. •Ultrahigh-speeds	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
NTD5804N	文件：79.13 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5804N	文件：132.99 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,69A,SingleN?묬hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5804N	文件：2.6117 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NTD5804N	文件：299.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=69A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD5804NG	文件：132.99 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,69A,SingleN?묬hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTDV5804N	文件：79.13 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTDV5804N	文件：299.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=69A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
AFE5804EVM
制造商：
Texas Instruments
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估和演示板及套件
包装：
盒
类型：
接口
功能：
模拟前端（AFE）
嵌入式：
无
使用的 IC/零件：
AFE5804
主要属性：
8 通道 LVDS 输出
所含物品：
板，电缆
描述：
EVAL MODULE FOR AFE5804

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