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SBT80-10J	文件：38.82 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode(TwinType쨌CathodeCommon)100V,8ARectifier Features •Tj=150°C. •Lowforwardvoltage(VFmax=0.80V). •Shortreverserecoverytime. •Lowswitchingnoise. •Highreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure. •Micalesspackagefacilitatingmounting. Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converte	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBT80-10JS	文件：40.41 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode(TwinType쨌CathodeCommon)100V,8ARectifier Features •Tj=150°C. •Lowforwardvoltage(VFmax=0.80V). •Shortreverserecoverytime. •Lowswitchingnoise. •Highreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure. •Micalesspackagefacilitatingmounting. Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converte	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBT80-10LS	文件：41.37 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode(TwinType쨌CathodeCommon)100V,8ARectifier Features •Tj=150°C. •Lowforwardvoltage(VFmax=0.80V). •Shortreverserecoverytime. •Lowswitchingnoise. •Highreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure. •Micalesspackagefacilitatingmounting. Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converte	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBT80-10Y	文件：35.87 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode(TwinType쨌CathodeCommon)100V,8ARectifier Features •GuaranteeduptoTj=150°C. •Lowforwardvoltage(VFmax=0.80V). •Fastreverserecoverytime. •Lowswitchingnoise. •Highreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure. •Surfacemounttypedevicereducingtheassemblingtimeandfacilitatingcompactandhigh-densityasse	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
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TPS80-10	文件：190.84 Kbytes Page：5 Pages	TPS80SWITCHINGMODE80WUBRACKETPOWERSIPPLY	TOTAL-POWER Total Power International	TOTAL-POWER

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