ADuM4221-1数据手册集成电路（IC）的栅极驱动器规格书PDF

描述 Description

The ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2 均为4 A隔离式半桥栅极驱动器，采用ADI公司的iCoupler,sup>®

隔离器采用2.5 V至6.5 V逻辑输入电压工作，可与低压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2的输入与各输出之间具有真电气隔离优势。

ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2均内置有重叠保护，且允许进行死区时间调节。死区时间引脚(DT)和GND1引脚之间的单个电阻在高端和低端输出之间的次级侧设置死区时间。

如果ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2上的内部温度超过TSD温度，内部热关断(TSD)将输出设置为低输出。因此，ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2能够可靠地控制广泛正或负开关电压范围下的绝缘栅双极晶体管(IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性。

特性 Features

• 4 A峰值电流(<2 Ω RDSON_x)

• 逻辑输入电压：2.5 V至6.5 V

• 输出电源电压：4.5 V至35 V

• UVLO VDD1趋正阈值：2.5 V（最大值）

• 用于VDDA和VDDB趋正阈值的多个UVLO选项
• A级：4.5 V（最大值）

• B级：7.5 V（最大值）

• C级：11.6 V（最大值）




• 精密时序特性
• 传输延迟：44 ns（最大值）




• 可调的死区时间和双输入(ADuM4221)

• 可调的死区时间和单输入(ADuM4221-1)

• 无死区时间控制和双输入(ADuM4221-2)

应用 Application

• 开关电源
• 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器
• 工业逆变器
• 氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)兼容
1受美国专利5,952,849、6,873,065、7,075,239保护。其他专利正在申请中。

简介

ADuM4221-1属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由制造生产的ADuM4221-1栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。