ADUM4121-1数据手册ADI中文资料规格书

描述 Description

ADuM4121/ADuM4121-1为2 A隔离式、单通道驱动器，采用ADI公司的iCoupler®技术提供精密隔离。ADuM4121/ADuM4121-1提供5 kV rms隔离，采用8引脚宽体SOIC封装。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体，具有优于脉冲变压器和栅极驱动器组合等替代器件的出色性能特征。

ADuM4121/ADuM4121-1采用2.5 V至6.5 V输入电压工作，可与较低电压系统兼容。与采用高压电平转换方法的栅极驱动器相比，ADuM4121/ADuM4121-1的输入与输出之间具有真电气隔离优势。

ADuM4121/ADuM4121-1集成内部米勒箝位，在2 V时可在栅极驱动输出的下降沿上激活，提供具有较低阻抗路径的驱动栅极，以减少米勒电容感应导通的可能性。

有很多选项可用于热关断使能或禁用。因此，ADuM4121/ADuM4121-1可在各种开关电压范围内对绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)/金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)配置的开关特性进行可靠控制。

特性 Features

• 2 A峰值电流输出(<2 Ω RDSON)

• 2.5 V至6.5 V输入

• 4.5 V至35 V输出

• 欠压闭锁(UVLO)：2.5 V DD1 

• VDD2有多个UVLO选项

• A级：VDD2的4.4 V（典型值）UVLO

• B级：VDD2的7.3 V（典型值）UVLO

• C级：VDD2的11.3 V（典型值）UVLO




• 精确定时特性

• 隔离器和驱动器传输延迟：53 ns（最大值）




• 安全和法规认证（申请中）

• UL认证(UL 1577)

• 1分钟5 kV rms，SOIC长封装




• CSA元件验收通知5A

• VDE合格证书（申请中）

• DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10): 2006-12

• VIORM = 849 V 峰值

应用 Application

• 开关电源
• 隔离式IGBT/MOSFET栅极驱动器
• 工业逆变器
• 氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)功率器件