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BA595	文件：986.47 Kbytes Page：11 Pages	Current-controlledRFresistorforswitchingandattenuatingapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BA595	文件：114.48 Kbytes Page：10 Pages	SiliconPINDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BA595	文件：471.47 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPINDiode SiliconPINDiode •Current-controlledRFresistorforswitchingandattenuatingapplications •Frequencyrange1MHz...2GHz •EspeciallyusefulasantennaswitchinTV-sattuners •Verylowharmonics •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BA595	文件：33.79 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPINDiode SiliconPINDiode Features ●Current-controlledRFresistorforRFattenuators ●Frequencyrange1MHz…2GHz ●EspeciallyusefulasantennaswitchinTV-sattuners	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BA595	文件：35.92 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPINDiode Features ●Current-controlledRFresistorforswitchingandattenuatingapplications ●Frequencyrange1MHz...2GHz ●EspeciallyusefulasantennaswitchinTV-sattuners ●Verylowharmonics	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
C595	文件：405.25 Kbytes Page：1 Pages	250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux21(24)TEx166.5mm(24TEfor5Voutputs) •Weight1.7kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C595D	文件：1.20462 Mbytes Page：7 Pages	Large-ScreenLEDdisplayDriver -With8-bitserialinput; -With8-bitserialandparalleloutput; -Hasthefunctionofdirectlyclearingtheshiftregisterto“zero”; -Haslatchand3-stateoutputfunctions; -Canpass50MHzshiftclock; -Workingvoltage:2V-6V	SUNMOONSHENZHEN SUNMOON MICROELECTRONICS CO., LTD. 明微电子深圳市明微电子股份有限公司	SUNMOON
CCD595	文件：190.19 Kbytes Page：3 Pages	9216x9216PixelImageAreaFullFrameCCDImageSensor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
CCD595	文件：731.65 Kbytes Page：7 Pages	9216x9216PixelImageArea9216x9216PixelImageArea	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
CP595	文件：204.16 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalTransistorPNP-HighVoltageTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize30x30MILS DieThickness7.0MILS BaseBondingPadArea8.0x8.0MILS EmitterBondingPadArea7.6x7.6MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-10,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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