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BN1A3Q	文件：263.99 Kbytes Page：6 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=1.0kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBA1A3Q	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BN1A3Q	文件：109.5 Kbytes Page：4 Pages	on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching FEATURES •On-chipbiasresistor (R1=1.0kΩ,R2=10kΩ) •ComplementarytransistorwithBA1A3Q	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
BP1A3M	文件：94.22 Kbytes Page：6 Pages	On-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching on-chipresistorPNPsiliconepitaxialtransistor Formid-speedswitching TheBP1SeriesisanNtypesmallsignaltransistorandenablesthereductionofcomponentcountsanddownsizingofsetsduetoon-chipresistors.Thistransistorisespeciallyidealforuseinhouseholdelectronicapplian	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
CE1A3Q	文件：338.85 Kbytes Page：6 Pages	on-chipresistorNPNsiliconepitaxialtransistorFormid-speedswitching FEATURES •On-chipzenerdiodeforsurgevoltageabsorption •On-chipbiasresistor:R1=1.0kΩ,R2=10kΩ •Lowpowerconsumptionduringdriving: VOL=0.12V@VI=5.0V,IC=0.5A •On-chipdumperdiodeforreversecable	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
CE1A3Q	文件：125.73 Kbytes Page：4 Pages	COMPOUNDTRANSISTOR TheCE1A3Qisatransistorofon-chiphighhFEresistorincorporatingdumperdiodeincollectortoemitterandzenerdiodeincollectortobaseasprotectelements.ThistransistorisidealforactuatordrivesofOAequipmentsandelectricequipments. FEATURES •On-chipzenerdiodeforsur	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
F1A3	文件：152.9 Kbytes Page：2 Pages	1.0AmpMINIATUREPLASTICSILICONRECTIFIERS Features ■LOWCOST ■LOWLEAKAGE ■DIFFUSEDJUNCTION ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
F1A3	文件：126.29 Kbytes Page：2 Pages	1.0AmpMINIATUREPLASTICSILICONRECTIFIERS	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
F1A3	文件：140.72 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.FASTRECOVRYRECTIFIERS FEATURES Lowforwardvoltaedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
F1A3G	文件：137.18 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.GLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYRECTIFIERS FEATURES Lowforwardvoltaedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
FA1A3Q	文件：290.6 Kbytes Page：6 Pages	SILICONTRANSISTOR	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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产品属性

产品编号：
ADSP-H1A3
制造商：
Broadcom Limited
类别：
光电器件 > 显示器模块 - LED 字符与数字
包装：
管件
字符数：
1
大小 / 尺寸：
1.339" 高 x 0.945" 宽 x 0.413" 直径（34.00mm x 24.00mm x 10.50mm）
数字/字母大小：
1.00"（25.40mm）
显示类型：
7 段
通用引脚：
共阴极
颜色：
红色
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
2V
电流 - 测试：
20mA
毫烛光等级：
70mcd
波长 - 峰值：
644nm
功率耗散（最大值）：
52mW
封装/外壳：
10-DIP（1.200"，30.48mm）
描述：
DISPLAY 7-SEG 1\

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市灿芯升电子科技有限公司	ADSP-H1A3	Broadcom Limited	17+18+22+	10-DIP(1.200,30.48mm)	25480	原装+实力库存+当天发货	询价
富凯科技(深圳）有限公司	ADSP-H1A3	Broadcom Limited	24+	10-DIP(1.200,30.48mm)	6000	只做原装，欢迎询价，量大价优	询价

更多ADSP-H1A3供应商更新时间2025-2-28 17:32:00

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