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K12A60W	文件：246.65 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS(DTMOS?? Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.265Ω(typ.)byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=0.6mA) Applications •SwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
STF12A60	文件：371.9 Kbytes Page：5 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
STF12A60	文件：728.89 Kbytes Page：6 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
STP12A60	文件：689.86 Kbytes Page：5 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
STP12A60	文件：685.87 Kbytes Page：5 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SUN12A60F	文件：425.57 Kbytes Page：8 Pages	NewGenerationN-ChPowerMOSFET	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
TF12A60	文件：1.09414 Mbytes Page：6 Pages	RepetitivePeakOff-StateVoltage:600V	APOLLOELECTRON Apollo Electron Co., Ltd.	APOLLOELECTRON
TK12A60D	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK12A60D	文件：192.33 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.45Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:⎪Yfs⎪=7.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=600V) •Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK12A60D	文件：298.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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更多ADS12A60T供应商更新时间2025-5-13 14:47:00

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