ADRF5132中文资料高功率、20 W 峰值、硅 SPDT、反射开关、0.7 GHz 到 5.0 GHz数据手册ADI规格书

描述 Description

ADRF5132 是一款高功率反射式 0.7 GHz 到 5.0 GHz 硅单刀双掷 (SPDT) 反射开关，采用无铅的表面贴装式封装。此开关适用于高功率和蜂窝基础设施应用，如长期演进 (LTE) 基站。ADRF5132 具有 35 dBm LTE 的高功率处理能力（105°C 时的平均典型值）、2.7 GHz 时 0.6 dB 的低插入损耗、65 dBm 的输入三阶截距（典型值）和 42.5 dBm 的 0.1 dB 压纹 (P0.1dB)。

片内电路使用 5 V 的单一正电源工作，典型电源电流为 1.1 mA，使得 ADRF5132 成为基于 Pin 二极管的开关的理想替代方案。

此器件采用符合 RoHS 指令的紧凑式 16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP 封装。

特性 Features

• 反射式 50 Ω 设计

• 低插入损耗：2.7 GHz 时为 0.6 dB（典型值）

• TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
• 持久（>10 年运行）
• 峰值功率：43 dBm

• 连续波功率：38 dBm

• 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：35 dBm







• 单一事件（<10 秒运行）
• 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：41 dBm

简介

ADRF5132属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由制造生产的ADRF5132射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线（分集）接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择，或在发射和接收信号链之间切换天线。