High Power, 20 W Peak, Silicon SPDT, Reflective Switch, 0.7 GHz to 5.0 GHz

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高功率、20 W 峰值、硅 SPDT、反射开关、0.7 GHz 到 5.0 GHz

ADRF5132 是一款高功率反射式 0.7 GHz 到 5.0 GHz 硅单刀双掷 (SPDT) 反射开关，采用无铅的表面贴装式封装。此开关适用于高功率和蜂窝基础设施应用，如长期演进 (LTE) 基站。ADRF5132 具有 35 dBm LTE 的高功率处理能力（105°C 时的平均典型值）、2.7 GHz 时 0.6 dB 的低插入损耗、65 dBm 的输入三阶截距（典型值）和 42.5 dBm 的 0.1 dB 压纹 (P0.1dB)。\n\n 片内电路使用 5 V 的单一正电源工作，典型电源电流为 1.1 mA，使得 ADRF5132 成为基于 Pin 二极管的开关的理想替 • 反射式 50 Ω 设计\n\n• 低插入损耗：2.7 GHz 时为 0.6 dB（典型值）\n\n• TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力\n• 持久（>10 年运行）\n• 峰值功率：43 dBm\n\n• 连续波功率：38 dBm\n\n• 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：35 dBm\n\n\n\n\n\n\n\n• 单一事件（<10 秒运行）\n• 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：41 dBm;

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Package：16-WFQFN 裸露焊盘，CSP；包装：托盘 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频开关 描述：IC RF SWITCH SPDT 16LFCSP-WQ

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Package：16-WFQFN 裸露焊盘，CSP；包装：托盘 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频开关 描述：IC RF SWITCH SPDT 16LFCSP-WQ

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包装：散装 类别：开发板，套件，编程器 射频评估和开发套件，开发板 描述：EVAL BOARD FOR ADRF5132

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