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APT5020BVFR	文件：61.55 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FastRecovery	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT5020BVFR	文件：419.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT5020BVR	文件：59.01 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitchi	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT5020BVR	文件：419.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT5020DN	文件：434.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmodep	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT5020SLC	文件：35.77 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSVITMisanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSVI™isanewgenerationoflowgatecharge,highvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.LowergatechargeisachievedbyoptimizingthemanufacturingprocesstominimizeCissandCrss. LowergatechargecoupledwithPowerMOSVI™optimizedgatelayout,deliversexceptionall	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT5020SVFR	文件：64.489 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FastRecoveryBody	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT5020SVR	文件：61.92 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitc	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
AS5020	文件：338.08 Kbytes Page：11 Pages	6-BITMAGNETICANGULARPOSITIONENCODERWITHSERIALINTERFACE GeneralDescription Thedeviceprovidestheabsoluteangularpositionofasimplemagnetthatisplacedunderorabovethedevice’ssurface.ThedeviceincludestheHallSensorArray,signalconditioningandpostprocessingneededtogeneratea6-bitbinarycode.Thebinarycodecanbeeasilyacc	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司	AMSCO
AS5020T	文件：338.08 Kbytes Page：11 Pages	6-BITMAGNETICANGULARPOSITIONENCODERWITHSERIALINTERFACE GeneralDescription Thedeviceprovidestheabsoluteangularpositionofasimplemagnetthatisplacedunderorabovethedevice’ssurface.ThedeviceincludestheHallSensorArray,signalconditioningandpostprocessingneededtogeneratea6-bitbinarycode.Thebinarycodecanbeeasilyacc	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司	AMSCO

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产品属性

产品编号：
ADRF5020BCCZN
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频开关
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
射频类型：
VSAT
拓扑：
吸收
电路：
SPDT
频率范围：
100MHz ~ 30GHz
隔离：
65dB
插损：
2dB
测试频率：
20GHz
P1dB：
28dBm
IIP3：
52dBm
阻抗：
50 欧姆
电压 - 供电：
5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
20-WFLGA 裸露焊盘
供应商器件封装：
20-LGA（3x3）
描述：
IC RF SWITCH SPDT 30GHZ 20LGA

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更多ADRF5020BCCZN供应商更新时间2025-5-23 15:23:00

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