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ADP480120W3-L	文件：2.70251 Mbytes Page：15 Pages	Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module, sixpack topology 1200 V, 1.9 m typ. SiC MOSFET gen.3 based Features •AQG324qualified •1200Vblockingvoltage •1.9mΩoftypicalRDS(on) •MaximumoperativejunctiontemperatureTJop=175°C •Verylowswitchingenergy •Lowinductivecompactdesignforanhigherpowerdensity •Si3N4AMBsubstratetoimprovethermalperformance •SiCPower	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
ADP480120W3	文件：8.25524 Mbytes Page：15 Pages	Automotive-gradeACEPACKDRIVEpowermodule,sixpacktopology1200V,1.9mtyp.SiCMOSFETgen.3based Features •Designedforautomotiveapplications •1200Vblockingvoltage •3.5mΩoftypicalRDS(on) •MaximumoperativejunctiontemperatureTJop=175°C •Verylowswitchingenergy •Lowinductivecompactdesignforanhigherpowerdensity •Si3N4AMBsubstratetoimprovethermalperfor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module, sixpack topology 1200 V, 1.9 m typ. SiC MOSFET gen.3 based

Features •AQG324qualified •1200Vblockingvoltage •1.9mΩoftypicalRDS(on) •MaximumoperativejunctiontemperatureTJop=175°C •Verylowswitchingenergy •Lowinductivecompactdesignforanhigherpowerdensity •Si3N4AMBsubstratetoimprovethermalperformance •SiCPower

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Automotive-gradeACEPACKDRIVEpowermodule,sixpacktopology1200V,1.9mtyp.SiCMOSFETgen.3based

Features •Designedforautomotiveapplications •1200Vblockingvoltage •3.5mΩoftypicalRDS(on) •MaximumoperativejunctiontemperatureTJop=175°C •Verylowswitchingenergy •Lowinductivecompactdesignforanhigherpowerdensity •Si3N4AMBsubstratetoimprovethermalperfor

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深圳市欧立现代科技有限公司	ADP483KS140	AD	24+	QFP	6980	原装现货,可开13%税票	询价
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博速半导体（深圳）有限公司	ADP4860-1YRJZ	ADI/亚德诺	22+		66900	原封装	询价

更多ADP480120W3-L供应商更新时间2025-7-29 14:01:00

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