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ADP3611中文资料双自举,高电压 MOSFET 驱动器,带输出禁用数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

ADP3611

参数属性

ADP3611 封装/外壳为8-VFDFN 裸露焊盘;包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN

功能描述

双自举,高电压 MOSFET 驱动器,带输出禁用
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN

封装外壳

8-VFDFN 裸露焊盘

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 18:01:00

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ADP3611规格书详情

描述 Description

ADP3611 是一款双 MOSFET 驱动器,适用于驱动非绝缘同步降压电源转换器中,用于为便携式计算机中 CPU 供电的两个 N 沟道开关 MOSFET。该驱动器阻抗经过选择,适用于在每相最高 25 A下在多相稳压器中提供最佳性能。高压侧可相对于降压转换器的开关节点进行自举,可适应与浮动高压侧门极驱动器相关联的高电压摆率。内部同步 MOSFET 用于替代外部自举肖特基二极管。这可实现更大高压侧门极电压,从而提高能效。

特性 Features

• All-in-one synchronous buck driver
• Anti-cross-conduction protection circuitry
• Crowbar control
• Synchronous override control

应用 Application

Mobile computing CPU core power converters Multi-phase desktop CPU supplies Single-supply synchronous buck converters Nonsynchronous-to-synchronous drive conversion

简介

ADP3611属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的ADP3611栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    ADP3611MNR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.6V ~ 5.5V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2V

  • 输入类型:

    反相,非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    20ns,15ns

  • 工作温度:

    -10°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-VFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-DFN(2x2)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN

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