ADP3412JR中文资料IC MOSFET DVR DUAL N-CH 8-SOIC数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
ADP3412JR |
| 参数属性 | ADP3412JR 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| 功能描述 | IC MOSFET DVR DUAL N-CH 8-SOIC |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 20:00:00 |
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ADP3412JR规格书详情
简介
ADP3412JR属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由制造生产的ADP3412JR栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 制造商编号
：ADP3412JR
- 生产厂家
：ONSEMI
- 通道类型
：同步
- 驱动器数
：2
- 栅极类型
：N 沟道 MOSFET
- 电压 - 电源
：4.15 V ~ 7.5 V
- 逻辑电压 - VIL，VIH
：0.8V，2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
：-
- 输入类型
：非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）
：30V
- 上升/下降时间（典型值）
：20ns，20ns
- 工作温度
：0°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：8-SOIC（0.154\，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装
：8-SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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