ADP3121中文资料MOSFET 驱动器,双自举,12 V,带输出禁用数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
ADP3121 |
参数属性 | ADP3121 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为散装;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
功能描述 | MOSFET 驱动器,双自举,12 V,带输出禁用 |
封装外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
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ADP3121规格书详情
描述 Description
ADP3121 是一款双高电压 MOSFET 驱动器,适用于驱动两个 N 沟道 MOSFET,即非隔离同步降压功率转换器中的两个开关。每个驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载,传播延迟为 20 ns,转换时间为 15 ns。其中一个驱动器可以自举,适用于处理与浮动高压侧门极驱动器相关联的高电压摆率。ADP3121 包括了重叠驱动保护,可防止外部 MOSFET 中的击穿电流。
特性 Features
• All-in-one synchronous buck driver
• Bootstrapped high-side drive
• One PWM signal generates both drives
• Anticross conduction protection circuitry
• Over voltage protection
• Meets CPU VR requirement when used withAnalog Devices Flex -Mode1 controller
应用 Application
Multiphase desktop CPU supplies
简介
ADP3121属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的ADP3121栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 产品编号:
ADP3121JRZ-RL
- 制造商:
onsemi
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
散装
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
同步
- 栅极类型:
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
4.15V ~ 13.2V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2V
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
20ns,20ns
- 工作温度:
0°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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