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ADP3118中文资料双自举,12 V MOSFET 驱动器数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

ADP3118

参数属性

ADP3118 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

双自举,12 V MOSFET 驱动器
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 8:31:00

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ADP3118规格书详情

描述 Description

ADP3118 是一款双高电压 MOSFET 驱动器,适用于驱动两个 N 沟道 MOSFET,即非绝缘同步降压功率转换器中的两个开关。 每个驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载,传播延迟为 25 ns,转换时间为 25 ns。 其中一个驱动器可以自举,适用于处理与浮动高压侧门极驱动器相关联的高电压摆率。ADP3118 包括了重叠驱动保护,可防止外部 MOSFET 中的击穿电流。

特性 Features

• All in one synchronous buck converter
• Anti cross-conduction protection circuitry
• Output disable control turns off both MOSFETs to float output
• Optimized for low gate charge MOSFETs

应用 Application

Multiphase CPU supplies Single-supply synchronous buck converters

简介

ADP3118属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的ADP3118栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    ADP3118JRZ

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.15V ~ 13.2V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2V

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    25ns,20ns

  • 工作温度:

    0°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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