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ADP280120W3	文件：8.26885 Mbytes Page：15 Pages	Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module, sixpack topology 1200 V, 3.8 m typ. SiC MOSFET gen.3 based •AQG324qualified •1200Vblockingvoltage •3.5mΩoftypicalRDS(on) •MaximumoperativejunctiontemperatureTJop=175°C •Verylowswitchingenergy •Lowinductivecompactdesignforanhigherpowerdensity •Si3N4AMBsubstratetoimprovethermalperformance •SiCPowerMOSFETchip	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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ADP280120W3

文件：8.26885 Mbytes

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Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module, sixpack topology 1200 V, 3.8 m typ. SiC MOSFET gen.3 based

•AQG324qualified •1200Vblockingvoltage •3.5mΩoftypicalRDS(on) •MaximumoperativejunctiontemperatureTJop=175°C •Verylowswitchingenergy •Lowinductivecompactdesignforanhigherpowerdensity •Si3N4AMBsubstratetoimprovethermalperformance •SiCPowerMOSFETchip

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更多ADP280120W3供应商更新时间2025-5-26 10:13:00

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