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ADNS-8020	文件：1.15904 Mbytes Page：38 Pages	Track-on-Glass Laser Sensor	PixartPixart Imaging Inc. 原相科技原相科技股份有限公司	Pixart
ADNS-8020_16	文件：1.05542 Mbytes Page：10 Pages	Track-on-Glass Laser Sensor	PixartPixart Imaging Inc. 原相科技原相科技股份有限公司	Pixart
AND8020	文件：173.24 Kbytes Page：18 Pages	TerminationofECLLogicDeviceswithEF(EmitterFollower)OUTPUTStructure	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AND8020D	文件：173.24 Kbytes Page：18 Pages	TerminationofECLLogicDeviceswithEF(EmitterFollower)OUTPUTStructure	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AND8020D	文件：156.81 Kbytes Page：11 Pages	3.3V/5VECL2-InputDifferentialXOR/XNOR Description TheMC10/100EP08isadifferentialXOR/XNORgate.TheEP08isidealforapplicationsrequiringthefastestACperformanceavailable. The100Seriescontainstemperaturecompensation. Features •250psTypicalPropagationDelay •MaximumFrequency>3GHzTypical •PECLModeOpera	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AOZ8020	文件：343.63 Kbytes Page：7 Pages	8-LineEMIFilterwithIntegratedESDProtection GeneralDescription TheAOZ8020isan8-linedeviceintegratingEMIfilteringwithESDprotectionforeachline.ItisdesignedtosuppressunwantedEMI/RFIsignalsandprovideelectrostaticdischarge(ESD)protectioninportableelectronicequipment.Thisstate-of-the-artdeviceutilizesAOSl	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
APT8020JFLL	文件：263.64 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7®FREDFET PowerMOS7®isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7®bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7®combineslowerconductionandswitchinglossesalo	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT8020JFLL	文件：71.34 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS. POWERMOS7™FREDFET PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7TMbysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7TMcombineslowerconductionandswitchinglossesa	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT8020JFLL	文件：537 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.22Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverter ·PFCCircuits ·PowerSupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT8020JLL	文件：69.79 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW

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