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APM2030NVC-TR	文件：131.67 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2030NVC-TRL	文件：131.67 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2030NVC-TU	文件：131.67 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
APM2030NVC-TUL	文件：131.67 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET •20V/6A,RDS(ON)=28mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)	ANPECAnpec Electronics Coropration 茂达电子茂达电子股份有限公司	ANPEC
AV2030	文件：195.29 Kbytes Page：13 Pages	LINEARINTEGRATEDCIRCUIT DESCRIPTION TheAVICAV2030isamonolithicaudiopoweramplifierintegratedcircuit. FEATURES Verylowexternalcomponentrequired. Highcurrentoutputandhighoperatingvoltage. Lowharmonicandcrossoverdistortion. Built-inOvertemperatureprotection. *Shortc	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK
AXS2030	文件：1.4548 Mbytes Page：9 Pages	5.2WSingleChannelClassAB/DAudioPowerAmplifier Features AB/Dswitchingfunction ClassDoutputpower: -5.2W(VDD=5.0V,RL=2Ω,THD+N=10%) ClassABoutputpower: -5.2W(VDD=5.0V,RL=2Ω,THD+N=10%) Operatingvoltage:2.5Vto5.5V Lowdistortionandlownoise Power-onPOPsoundsuppressionfunction Shutdowncurrent	CHIPSOURCETEKShenZhen ChipSourceTek Technology Co.,Ltd. 矽源特科技深圳市矽源特科技有限公司	CHIPSOURCETEK
BF2030	文件：277.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BF2030	文件：16.47 Kbytes Page：2 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHzOperatingvoltage5V) •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF2030	文件：118.38 Kbytes Page：11 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BF2030R	文件：277.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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详细参数

型号：
ADNK-2030
功能描述：
光学传感器开发工具 Reference Design Kit
RoHS：
否
制造商：
ams

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	ADNK-2030	AVG	24+		6		询价
深圳市永贝尔科技有限公司	ADNK-2030	AD	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	ADNK-2052	AVAGO/安华高	23+	NA	5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
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