17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器

ADMV1011是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)、双边带(DSB)上变频器，采用符合RoHS标准的封装，针对工作频率范围为17 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。\n\n ADMV1011提供21 dB的转换增益，具有针对下边带和上边带的32 dBc和23 dBc边带抑制性能。ADMV1011采用射频(RF)放大器，前接由驱动放大器驱动集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)双平衡混频器。还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带的滤波要求。ADMV1011 • RF输出频率范围：17 GHz至24 GHz\n\n• IF输入频率范围：2 GHz至4 GHz\n\n• LO输入频率范围：8GHz至12 GHz，集成2×乘法器\n\n• 边带抑制：32 dB（下边带）\n\n• P1dB：25 dBm\n\n• 增益调节：30 dB\n\n• 输出IP3：33 dBm\n\n• 匹配50 Ω RF输出、LO输入和IF输入\n\n• 32引脚、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装;

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17.5 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q下变频器

ADMV1012 是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)双边带(DSB)下变频器，采用符合RoHS标准的封装，针对输入频率范围为17.5 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。\n\n ADMV1012提供15 dB的转换增益、25 dB的镜像抑制性能和2.5 dB噪声指数。ADMV1012采用射频(RF)低噪声放大器(LNA)，后接由驱动放大器驱动集成×2乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)双平衡混频器。它具有IF1和IF2正交混频器输出，所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。\n\n I/Q 混频器拓扑结构则降低了 • RF 输入频率范围：17.5 GHz 至 24 GHz\n\n• IF 输出频率范围：2.5 GHz 至 3.5 GHz\n\n• LO 输入频率范围：7 GHz 至 13.5 GHz\n\n• 转换增益（混合器件）：15 dB（典型值）\n\n• SSB 噪声指数：2.5 dB（典型值）\n\n• 输入 IP3：3 dBm（典型值）\n\n• 输入 P1dB：−5 dBm（典型值）\n\n• 20 dB 镜频抑制\n\n• 单端 50 Ω RF 和 LO 输入端口\n\n• 裸露焊盘、4.9 mm × 4.9 mm、32引脚LCC封装;

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Package：32-TFCQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块 描述：13/15GHZ GAAS UPCONVERTER

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包装：盒 类别：开发板，套件，编程器 射频评估和开发套件，开发板 描述：EVAL BOARD

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Package：32-TFCQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 功能：升频器 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块 描述：13/15GHZ GAAS D/C

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